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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
700
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
400
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
6.0 V
150 C
-55 C
25 C
100
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
10
0.1
1
o
5
1
2
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.5
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
3.0
150 C
25 C
V GS = 10V
o
o
2.5
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T C = 25 C
2.0
0
70
140 210 280 350
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
9000
C iss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
6
6000
3000
C oss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
30
0
0
20
*Note: I D = 75A
40 60 80 100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB029N06 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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